Компьютер на флешке

Несмотря на то, что флешки, в нашем сегодняшнем понимании, появились достаточно недавно, сама технология, лежащая в основе этих миниатюрных устройств хранения данных, увидела свет еще в 1984 г. в стенах компании Toshiba. Надо признаться, что Toshiba вообще является родоначальником многих передовых технологий, в частности компакт-дисков нового поколения HD DVD. Но если технологию HD DVD постигла печальная участь (на рынке победила альтернативная технология Blue Ray от компании Sony), то в случае со флешками мы наблюдаем прямо противоположную картину. Эти штуковины встречаются практически на каждом шагу и имеются практически у каждого человека, мало-мальски пользующегося электронной техникой. Помимо обычного карманного носителя информации не стоит забывать о роли «электронной фотопленки», которую флешки играют в цифровых фото- и видеокамерах (частично). Короче, все движется к тому, что вскоре накопители данных на основе флеш-технологии будут преобладать на рынке. Уже сейчас выпускаются флешки объемом 32 и 64 Гб. А то ли еще будет…

В далеком же 1984 г. японский дядька по имени Фуджио Масуоко (Fujio Masuoka) показал своему коллеге новую технологию. История не сохранила имени коллеги, но известно, что ему процесс быстрого стирания ячеек напомнил работу вспышки фотоаппарата. Отсюда и пошло название новой технологии, ведь flash — это в переводе с англ. «вспышка».

Эволюционно флеш-память представляет собой разновидность EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory), то есть энергонезависимого ПЗУ с электронным стиранием. EEPROM функционирует на основе логики, построенной на КМОП-элементах (комплементарных структурах «металл-оксид-полупроводник», или Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS). К сожалению, при стирании содержимого КМОП-памяти нужно подводить к ее электронным ячейкам достаточно высокое напряжение, поэтому этот процесс занимает достаточно много времени. В отличие от «прародительницы», во флеш-микросхемах информация удаляется иначе — целыми блоками — и это происходит намного быстрее [1].

Первичными ячейками таких чипов являются полевые транзисторы с двумя изолированными затворами: управляющим и плавающим. Под воздействием управляющего создается канал для движения заряженных частиц от истока к стоку, причем некоторые электроны, обладающие большой энергией, преодолевают сопротивление изолятора и попадают на плавающий затвор. Этот процесс называется инжекцией.

Формируется скрытый, или «захороненный», заряд, который может сохраняться на плавающем затворе в течение нескольких лет. С целью кодирования информации малое количество заряда на затворе принимается равным логической единице, а большее — нулю.

При стирании на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение. Тогда электроны с плавающего затвора «стекают» на сток (туннелируют).

Рис. 1.1. Запись и стирание данных во флеш-памяти

В то время как в обычной энергозависимой памяти для хранения каждого бита данных нужно задействовать несколько транзисторов и конденсатор, во флеш-памяти обходятся лишь одним. Это дает возможность сильно уменьшить размеры микросхем, упростить технологию их производства и снизить цену изделия.

Флеш-память может быть реализована на электронных логических элементах двух типов: ранее весьма распространенных NOR (с прямым доступом), а также более дешевых NAND, которые стали широко использовать в последние годы (доступ к последним осуществляется через 8-битную шину данных и адресов, имеющую отдельные командные каналы).

Рис. 1.2. По форме флешки бывают самые разные